1、液晶显示器的驱动方式
液晶显示器的驱动方式有电气写入方式、光写入方式、热(激光)写入方式等。在采用最多的电气写入方式中,有早期采用的字段式驱动和现在普遍采用的矩阵式驱动方式。后者又有简单矩阵驱动和有源矩阵驱动之分。
采用静态驱动要显示任意的文字、图形和图像等,势必大大增加驱动电极的数目,在成本上不太现实;而采用简单矩阵驱动由于对比度很低,现实容量很难增大;有源矩阵驱动(又称为主动型矩阵驱动、开关矩阵驱动等)是在显示面板的各像素设置开关元件和信号存储电容,以对液晶屏进行驱动,不仅画面层次鲜明、对比度高,而且具有广视角、高响应速度快等特点,能获得色彩鲜艳、逼真的动画图像。
2、有源矩阵驱动方式的提出和发展
1971年RCA的Lechner等提出的有源矩阵驱动法,被认为是现在成为主流的高性能TFT(thin film transistor,薄膜三极管)LCD的源头。这种驱动方法给各个像素附加了开关元件,其中有场效三极管或二极管和信号存储电容。最早推出的采用DS模式的2X18点矩阵LCD确认了他的研究成果。
3、有源矩阵方式液晶显示器的实现
1)a-Si TFT LCD
从a-Si膜的开发到TFT的开发以及TFTLCD的试制验证均在英国的Dundee大学进行。在Spear等利用辉光放电分解法开发a-Si:H薄膜之后,1979年LeComber等成功地研制了几乎满足TFT LCD所有使用条件的a-Si TFT。接着,1981年Snell等在世界上首次成功地试制了5X7点阵的TFT LCD。
在Dundee大学成果的激励下,日本、法国、荷兰等国也相继发表了很多小型TFT LCD的研究成果。1986年,松下电器产业公司首次把安装3英寸彩色LCD的电视商品化。此后,针对大型化和高清晰度进行了开发,1991年就开始出售装有10英寸级彩色TFT LCD的笔记本电脑。从1993年开始,TFT LCD的大量生产迎来了此后的全盛期。
在已实用化的TFT LCD中,液晶模式主要是TN。这是融低电压、低功耗驱动和高对比度、适合彩色化的性能于一体的模式。TN模式TFT LCD的缺点是视角小,为此曾做了种种改进工作。光学补偿法已发展到使用圆盘状液晶膜方式。在取向上加以改进的方式除了用于TN模式之外,也设法用于其他方面。
2)多晶硅TFT LCD
多晶(poly-crystalline)硅(P-Si)的形成有低温工艺和高温工艺。在1980-1982年,人们和a-Si TFT的开发一起进行了低温工艺的开发,试制了小规模TFT LCD。方法是将a-Si再结晶,把所得到的多晶硅膜在500-600℃进行热处理,这种方法的问题是,普遍的玻璃基板难以承受如此高的温度。
然后低温法多晶硅TFT LCD的实用化不得不等到1996年。未获得多晶,研究了很多方法,但一般采用受激准分子激光热处理。高温P-Si TFT LCD比a-Si TFT LCD早两年,于1984年由精工集团将2英寸彩色LCD装于电视出售。
这是在高于900℃温度下形成多晶硅活性层,并进行热氧化,以形成栅绝缘膜的方式。由于工艺温度高,只能采用耐高温的石英玻璃基板。这种方式已正式用于要求高清晰度的投影式TFT LCD之中。
多晶硅中的电子迁移率高,因此驱动电路也可在显示部分的周边以CMOS形式同时形成。低温处理制程可在玻璃基板上进行,价格便宜,有利于实现大型化。
3)TFT LCD的特点
TFT LCD有如下特点:
(1)从原理上没有像简单矩阵那样的扫描电极数的限制,可以实现多像素化;
(2)可以抑制交调失真(cross talk,串扰),对比度高;
(3)由于液晶激励时间可以很长(为持续型),亮度高,响应时间也很快;
(4)由于在透明玻璃基板上利用溅镀、化学气相沉积(CVD)等方法成膜,可以实现大型化和彩色化;
(5)可以同时在显示区域周边形成驱动电路,由于I/O引脚数骤减,有利于实现高可靠性和低成本。
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